- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C01B - Chimie inorganique éléments non métalliques; leurs composés
- C01B 32/186 - Préparation par dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
Détention brevets de la classe C01B 32/186
Brevets de cette classe: 363
Historique des publications depuis 10 ans
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7
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Tokyo Electron Limited | 11599 |
22 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
20 |
Paragraf Limited | 62 |
17 |
General Graphene Corp. | 17 |
7 |
Corning Incorporated | 9932 |
6 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
5 |
Massachusetts Institute of Technology | 9795 |
5 |
National Taiwan University | 1140 |
5 |
Aixtron SE | 288 |
5 |
Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation | 1652 |
5 |
Heiq Materials AG | 72 |
5 |
Imam Abdulrahman Bin Faisal University | 343 |
5 |
Versarien PLC | 53 |
5 |
California Institute of Technology | 3884 |
4 |
Purdue Research Foundation | 3277 |
4 |
National University of Singapore | 2228 |
4 |
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences | 274 |
4 |
Seoul National University R&db Foundation | 2976 |
4 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
3 |
Centre National de La Recherche Scientifique | 9632 |
3 |
Autres propriétaires | 225 |